SK 海力士确认 V10 NAND 闪存为 375 层堆叠，导入晶圆键合技术

IT之家 8 月 7 日消息，SK 海力士在其 FMS 2026 峰会新闻稿中确认， 其继 321 层 V9 "4D NAND" 后的新一代闪存产品 V10 采用 375 层堆叠设计 。

这也是 SK 海力士首款采用晶圆键合技术的 NAND 产品。



SK 海力士宣称 V10 NAND 实现了上代产品 2.5 倍的每瓦性能 ，专为需要兼顾能效和性能的 AI 基础设施环境而优化。 SK 海力士计划 2027H1 量产基于 V10 NAND 的企业级固态硬盘 。

SK 海力士在展示 V10 1Tb TLC 晶圆的同时还展示了两款成品颗粒：32DP 2CH 型号堆叠了 32 个 NAND Die，是首款类似封装的 TLC；

而 4 通道封装版本面积仅 13.5mm × 12.5mm，比传统的 14mm × 18mm 更为小巧。



此外，SK 海力士还展示了 基于 V9H 1Tb TLC NAND 的 UFS 5.0 解决方案 UG500 ：其提供 512GB 和 1TB 两种容量，能效较 UFS 4.1 改进 19%。同时展出的还有基于 1c nm 16Gb Die 的 LPDDR6 颗粒。



SK 海力士的 首款性价比 PCIe Gen5 QLC 固态硬盘 PQF02 也有展出。其基于 V9 QLC NAND，提供 1TB 和 2TB 版本，采用 4 通道主控，支持从 2230 到 2280 的 M.2 外形规格。

[来源链接] https://www.ithome.com/0/987/148.htm