全球内存短缺：报告称 1b DRAM 晶圆每平方毫米成本较台积电 N2 溢价 54%

AI 总结
• 韩国机构 Kernel Insight 数据显示，1b DRAM 晶圆每平方毫米成本为 0.654 美元，较台积电 N2 晶圆的 0.424 美元高出 54%，呈现价格倒挂现象。
• 1b DRAM 虽采用亚 10 纳米工艺，但其制造流程比需多重曝光和 EUV 光刻的台积电 N2 更为简单，理论上单位面积成本应更低。
• DDR5 内存主要用于高容量台式机、笔记本、服务器及 HBM3E 等 AI 加速器显存，受 AI 服务器建设潮推动需求激增。
• 三大存储厂商产能扩张滞后于需求增速，导致通用 DRAM 长期供应短缺，成为价格倒挂的核心驱动因素。
• SK 海力士正加速下一代内存布局，宏碁预测内存短缺不会延续至 2030 年，但价格在 2027 年中期前仍将持续攀升。

【成本对比：1b DRAM 晶圆较台积电 N2 溢价 54%】
IT之家 9 月 25 日消息，韩国半导体分析机构 Kernel Insight 最新数据显示， 1b DRAM 晶圆每平方毫米成本达 0.654 美元（现汇率约合 4.4 元人民币），较台积电 N2 晶圆的 0.424 美元（现汇率约合 2.8 元人民币）高出 54% 。

IT之家注：1b DRAM 晶圆是指采用 1b 工艺节点（sub-10nm 级）制造的 DDR5 动态随机存取存储器。1b 代表存储单元特征尺寸进入 10 纳米以下区间，位密度约每平方毫米 0.436 Gb。


【1b DRAM 主要应用领域】
1b DRAM 晶圆主要用于生产 DDR5 内存模组，尤其是高容量规格的台式机、笔记本与服务器内存条，主要用于以下产品：

• DDR5 台式机内存条 ：单条容量 16 GB、32 GB、64 GB，部分高端型号已达 128 GB 乃至 512 GB。

• DDR5 笔记本内存 ：包括 SO-DIMM 规格与板载 LPDDR5/DDR5 颗粒，用于高性能轻薄本与游戏本。

• 服务器 / 工作站内存 ：RDIMM、LRDIMM 等 ECC 纠错内存模组，单条容量可达 256 GB，服务器整机内存上限已推至 12 TB。

• 高带宽内存（HBM）配套 ：部分 1b 工艺也用于 HBM3E 等 AI 加速器专用显存的堆叠基座颗粒。

【工艺差异与价格倒挂现象】
DDR5 的制造流程远比台积电 N2 节点硅晶圆简单。

N2 属于 2 纳米级先进制程，需多重曝光、极紫外光刻等复杂工艺。

1b DRAM 虽为亚 10 纳米级，但结构相对单一，良率控制难度较低。

按常理推断，工艺更简单的产品单位面积成本应更低，当前市场却呈现完全相反的定价格局。

【短缺原因与市场展望】
通用 DRAM 长期供应短缺成为价格倒挂的核心驱动因素。

AI 服务器建设潮持续消耗高带宽内存与大容量 DDR5 模组，而三大存储厂商产能扩张节奏滞后于需求增速。

当前定价范式短期内难以回归常态。

SK 海力士 CEO 公开表示 AI 产业无法脱离存储器存在，公司正加速全球生产基地的下一代内存布局。

宏碁董事长陈巍预测内存短缺不会延续至 2030 年，但价格在 2027 年中期缓解前仍将持续攀升。



[来源链接] https://www.ithome.com/1/007/119.htm