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作者:mary 发表于 1 小时前
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AI 总结
• 标题:消息 NVIDIA 下代 Groq LPU 芯片转向 3D 堆叠 DRAM,放弃大 SRAM 方案
• IT之家 10 月 21 日消息,韩媒 ZDNET Korea 报道称,NVIDIA 下代 Groq LPU AI 推理加速器芯片有望采用基于 TSV 工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案。
• 当前一代 Groq LPU 采用大容量 SRAM 缓存设计以提供快速解码输出,但 SRAM 容量较小且制程升级密度收益有限,导致在大型模型表现和芯片迭代上存在固有局限。
• 同样采用大 SRAM 技术路线的 Cerebras 此前已预告其未来的 CS-6 将采用 3D 垂直集成 DRAM 技术。

【NVIDIA 下代 Groq LPU 转向 3D 堆叠 DRAM】
IT之家 10 月 21 日消息,韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道称,NVIDIA(英伟达)的下代 Groq LPU AI 推理加速器芯片有望采用基于 TSV(硅通孔)工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案。


【SRAM 方案存在固有局限】
当前一代的 Groq LPU 采用了大容量 SRAM 的缓存设计,提供快速解码输出。

但 SRAM 有着容量较小、制程升级密度收益有限的问题,在大型模型表现和芯片迭代上存在固有局限。

【同行已布局 3D DRAM 路线】
IT之家注意到,同样采用大 SRAM 技术路线的 Cerebras 此前已预告未来的 CS-6 将 3D 垂直集成 DRAM。

相关阅读:
• 《Cerebras 揭秘 CS-6 晶圆级进化:颠覆性 3D 堆叠,首次垂直集成 DRAM》

[来源链接] https://www.ithome.com/1/015/760.htm
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